光刻机|超19亿元!ASML正式传来NAEUV光刻机新消息,信息量颇大

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提到光刻机 , 就不得不说ASML , 其是全球光刻机制造技术最先进的厂商 , 数据显示 , 中高端光刻机市场 , 基本上被ASML占领 。
尤其是ASML研发制造的EUV光刻机 , 更是一机难求 , ASML一直都在提升产能 , 以满足需求 。
但随着芯片制程的提升 , 更先进的NAEUV光刻机也开始浮出水面 , 其主要用于生产制造3nm、2nm等制程的芯片 。

毕竟 , 消息称 , 台积电利用先进有技术生产制造3nm芯片 , 其良品率也没有达到预期 , 最后不得不采用折中的办法 。
出现这样的情况 , 一方面是芯片制造技术的问题 , 一方面是现有的DUV光刻机无法进行更高精度的曝光 , 需要精度更高的NAEUV光刻机 。
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根据外媒的报道 , ASML正式传来NAEUV光刻机新消息 , 主要涉及价格、曝光精度以及量产交付情况 。

首先是价格方面 。
EUV光刻机的价格已经很高 , 售价超1亿美元 , 这已经让很多厂商叫苦连连 , 毕竟 , 光刻机的价格直接关系到芯片生产制造成本 。
而全新的NAEUV光刻机 , 其售价更是超过3亿美元 , 折合人民币19亿多 , 如此高的售价 , 可能会超出很高的厂商的承受范围 。
其次是曝光精度 。
据悉 , EUV光刻机拥有0.33数值孔径透镜 , 分辨率为13纳米 , 而NAEUV光刻机是EUV光刻机迭代产品 , 其拥有0.55数值孔径的镜头 , 分辨率为8纳米 。

可以说 , 拥有更高数值孔径的NAEUV光刻机主要就是用于生产制造3/2nm等制程的芯片 。
另外 , NAEUV光刻机也分为两种型号 , 分别是WINSCANEXE:5000和TWINSCANEXE:5200 , 分别对应0.35NAEUV光刻系统、0.55NAEUV光刻系统 。
其中 , 前者主要用于生产制造3nm制程的芯片 , 后者主要用于生产制造2nm等制程芯片 。
根据ASML发布的消息可知 , 相比EUV光刻机系统而言 , 0.35NAEUV光刻系统、0.55NAEUV光刻系统的体积更大一些 , 效率也更高一些 。

搭载0.35NAEUV光刻系统的WINSCANEXE:5000光刻机每小时曝光晶圆185片 , 而搭载0.55NAEUV光刻系统的TWINSCANEXE:5200光刻机每小时曝光晶圆220片 。
也就是说 , 台积电等厂商安装使用这两种型号的光刻机后 , 不仅能够进一步提升3nm等芯片的良品率 , 产能也将随之提升 。
最后是量产交付情况 。
根据ASML发布的消息 , NAEUV光刻机的订单已经有四份 。
2021年第四季度获得订单金额中 , 0.35NAEUV光刻系统和0.55NAEUV光刻系统的订单金额就达到了26亿欧元 。

另外 , 今年早些时候 , ASML还收到了一份TWINSCANEXE:5000的订单 , 其是英特尔下的 。
据悉 , TWINSCANEXE:5000将会在今年下半年出货将会在今年下半年出货 , 而TWINSCANEXE:5200将会在2024年开始交付 。
这意味着三星、台积电的3nm芯片最快在今年后半年出现 , 大量上市交付则会是在2023年 , 而2nm芯片将会在2024年上市 , 基本上符合之前的预期 。

当然 , ASML已经有了更先进的NAEUV光刻机 , 最快将会在今年下半开始交付 , 这意味着EUV光刻机也将不再是最先进的技术 , 其自由出货的可能就更大一些 。
一方面是因为ASML已经计划在2025年实现EUV光刻机的全球安装使用率高达60%以上 , 另一方面三星、SK海力士也需要将大量的EUV光刻机安装到内地工厂 。
无论是实现哪一点 , 对于ASML而言 , 前提基本上都是实现EUV光刻机自由出货 。 对此 , 你们怎么看 , 欢迎留言、点赞、分享 。
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