又一芯片关键技术突破，EUV光刻机也有进展，中国芯崛起在即本文原创

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芯片关键技术迎来“破冰”在各国各企业的努力下，芯片成功突破到了5nm 。 5nm是目前世界上最先进的制程工艺，台积电用了33年时间才做到了这一点，在今年第一季度实现大规模投产。
相比之下，我国在芯片制程工艺上还有很大的进步空间，以中芯国际的代工水准来看，是在14nm 。不过每一代芯片制程的推进都需要耗费大量人力，物力和时间。路要一步一步走，不积跬步无以至千里。
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【又一芯片关键技术突破，EUV光刻机也有进展，中国芯崛起在即】经过一点一滴的积累，最终实现整个产业链的进步。好消息是，在这方面芯片的一项关键技术迎来“破冰” 。
12月17日，复旦大学微电子学院周鹏团队，实现了围栅多桥沟道晶体管技术。针对3nm到5nm的节点晶体管技术，验证了GAA技术，完成在高驱动和低泄露电流的融合。为高性能低功耗的电子器件提供了新的发展途径。
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这是一项关键突破，实现对高端芯片纳米制程的破冰。那么什么是GAA技术，这次的技术突破意味着什么？
首先要知道芯片行业主流的是FinFET晶体管技术，可是到了高端3nm和5nm技术节点上，就需要GAA晶体管才能完成芯片制造。据了解台积电2nm采用的是环绕栅极晶体管技术（GAA），从而放弃更成熟稳定的鳍式场效应晶体管技术（FinFET）。
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这也说明台积电到了高端2nm上采用的工艺和迟迟复旦大学周鹏团队，验证的围栅多桥沟道晶体管技术几乎是一样的。于此可知，对于高端纳米制程工艺的某些关键技术上，我们已经有了突破。此次突破意义重大，为将来制造高端芯片奠定基础。
除了制程晶体管技术外，在高端EUV光刻机上，也有进展。
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EUV光刻机的进展EUV光刻机是生产高端5nm必要的设备，如果是7nm制程芯片还能够用上DUV光刻机。但5nm制程芯片就必须依靠EUV光刻机了。
值得一提的是，我国规模最大的芯片代工厂中芯国际在2018年向荷兰ASML购买了一台EUV光刻机，花费了1.2亿美元。但由于受到美国的阻碍，这台光刻机迟迟没有交付。
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不过好消息传来， EUV光刻机有了进展。据新浪科技消息报道可知，中芯国际正在和荷兰ASML就EUV光刻机进行谈判。希望能获得EUV光刻机的供货。
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另外12月16日，我国与荷兰也进行了交谈，希望在华为5G ， EUV光刻机上保持工作态度。由此可见，在与荷兰ASML的交谈方面，或许能为将来合作供货打下基础。
而且有关注的人都知道， ASML多次表态希望加快在中国市场的布局。既然双方都有合作的想法，只要有条件，获得EUV光刻机未必没有希望。
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EUV光刻机的进展决定了高端芯片的制造水平，只要EUV光刻机顺利交付，中芯国际就能开展5nm甚至是3nm的研发。
中国芯崛起在即，从90nm到28nm ，再从28nm到14nm ，不过14nm绝对不会是我国芯片制程的终点。在中芯国际的努力下，还有中科院布局光刻机，复旦大学周鹏团队取得的突破，将来中国芯一定能崛起。
芯片制造离不开光刻机，但其余的各项关键技术，也是必不可少的。想要实现高端芯片的国产化，某一个方面取得领先还不够，需要整个产业供应链的提升。
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总结复旦大学在关键芯片技术上取得了“破冰” ，在EUV光刻机上中芯国际和我国正在和荷兰ASML积极沟通。
芯片制造是一项繁琐的过程，每一个环节都至关重要。光刻机、芯片纳米制程工艺、芯片设计软件EDA等等。有中芯国际攻克芯片技术，有中科院入局光刻机，没有什么是做不到的。期待下一次传来更多国产芯片的好消息。
对此次取得的芯片关键技术突破你有什么看法呢？