芯片|石墨烯芯片方向对了，绕过5nm光刻机，能救华为吗？石墨烯|光刻机|华为|it芯片|重

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前几天， i奇趣儿的文章介绍了荷兰公司ASML发明5nm光刻机的历程。

当下，华为遭遇芯片困局，缺少的正是光刻机。
如果我们自研光刻机，需要攻克多个难题。
这个时候，我们不妨主动打破这个局面，换道超车。于是，有人想到了碳基芯片。

提到碳基芯片，必须要先说一下现在的硅基芯片。
当下的光刻机已经可以生产5nm工艺芯片，可是，这已经接近物理极限。
想要进一步突破，太难了，台积电3nm芯片最快也要到2022年才能量产。
虽然说ASML已经设计好了1nm的光刻机，可距离量产还有一段时间。
需要强调的是，在20nm以后，芯片漏电情况很严重。
华人科学家胡正明发明的FinFET技术，成功打破摩尔定律，使得芯片工艺才得以继续突破。
不过，胡正明教授认为， 5nm左右就是物理极限，再往前进漏电状况会加剧，芯片能耗会加剧。
当下的5nm芯片，已经出现此类问题。比如高通骁龙888、苹果A14和华为海思麒麟9000 ，在功耗方面都有“翻车”的迹象。
台积电的2nm工艺，必须要继续改良，或许要用上GAAFET技术。
同时，受制于摩尔定律，硅基芯片是有终点的。
芯片是由晶体管组成的，晶体管的核心部件是COMS管。 COMS管的构造包括：源极、栅极和漏极。
我们提到的芯片工艺， 7nm、5nm指的是栅极的最小线宽（可以理解为COMS管长度）。
芯片是通过纯净的硅制造而来，硅原子之间的距离大概是0.6nm 。
举例说明， 12nm的芯片沟道上，大约有20个硅原子。
而工艺误差和硅元素的不稳定性，会导致原子丢失（大数定律），这会影响芯片的实际性能表现。
这个时候，量子隧穿会导致漏电效应和短沟道效应。
通俗来说，芯片制程越先进，沟道越短，那么这种影响就会越大。
最终，晶体管数量没法再增加，摩尔定律失效。
从物理学和统计学角度来看，硅基芯片的终点一定会到来，极限在1nm左右。
我们刚提到的FinFET和GAAFET技术，可以改善栅极对电流的控制能力，从而提升了芯片工艺制程。这种方法是有终点的。
所以呢，科学家正在想别的办法：寻找硅之外的新材料，比如石墨烯，以此为基础，打造碳基芯片。
碳基芯片有两个方向：“碳纳米管芯片”和“石墨烯芯片” 。
北大在碳纳米管方向有所突破，已经研制出单片光电集成芯片。
中科院的团队已经制造出8英寸的石墨烯晶圆。
我们重点说石墨烯，与硅对比，石墨烯有这些亮点。石墨烯是最薄的纳米材料，厚度只有0.335nm；它也足够硬，比钢铁的强度高200倍。
同时，石墨烯的导电性是硅的100倍，导热性比铜强10倍。
我们可以得出结论，石墨烯这种材料是可靠的。
石墨烯芯片可以做到1nm以下，同样的工艺制程，石墨烯芯片性能会更强，功耗会更低。
目前，中芯国际已经可以生产14nm芯片，假设我们可以量产石墨烯芯片。
在当前的工艺条件下，石墨烯芯片的实际表现会超过台积电5nm芯片。
石墨烯芯片看来是个不错的方向呢，问题来了，制造这玩意难度大吗？
首先，我们要提炼纯净的石墨烯，这是难点之一。
目前来看，成本相当高，提纯1克需要5000元。
其次，纯净的石墨烯没法做成逻辑电路，需要改良形态，或者加入新的材料，制造出有功能的结构，这是难点之二。
比如，我们提到过的碳纳米管芯片，原理是把石墨烯改造成碳纳米管，以此来充当半导体，石墨烯充当导电沟道。